Паметта на Crossbar има значително по-висока плътност от NAND паметите, което означава по-малки чипове, с по-голям капацитет за съхранение (снимка: Crossbar)

Младата калифорнийска компания Crossbar е на път да предизвика революция в енергийнонезависимите памети. Създаденият от нея чип с размери 200 квадратни милиметра, или колкото пощенска марка, побира 1 терабайт данни.

Изобретението стъпва на разновидност на RRAM – резистивната памет с произволен достъп (Resistive Random Access Memory), разработена от инженерите на Crossbar. Клетките на паметта се състоят от три елемента – най-отдолу е разположен неметален електрод, върху него има междинен слой от аморфен силиций, а отгоре е металният електрод.

При подаване на електрически ток към клетката, между електродите възниква напрежение, което създава в междинния слой нишки с ниска проводимост, превръщайки го в проводник. По такъв начин клетката променя своето състояние. За възстановяване на предишното състояние на материала и превключване на клетката, се подава повторно ток с друга полярност.

Технологията на Crossbar има редица предимства. Отпада например необходимостта от прилагане на високо напрежение между електродите на клетката за превключване не нейното състояние.

За да постигнат висока плътност на съхраняваните данни, инженерите на Crossbar предлагат разполагане на слоеве от RRAM клетки един над друг, но от компанията не уточняват колко е максимално допустимият брой.

Освен увеличена плътност, новата памет предлага 20 пъти по-висока скорост на запис и има 10 пъти по-дълъг живот в сравнение с флаш паметта от тип NAND. По надеждност, RRAM паметта се доближава до DRAM.

Предполага се, че енергийнонезависимата памет на Crossbar ще намери приложение в смартфони и таблети, SSD устройства, носима електроника от рода на смарт часовници и други продукти.

90% от данните, които се съхраняват в момента, са създадени в последните две години. Появата на нови данни и мигновеният достъп до тях стават неотменими атрибути на съвременния живот, което поражда търсене на устройства за съхранение, коментира Майкъл Янг, старши анализатор по памети и системи за съхранение в IHS.

Crossbar вече има комерсиален образец на чипа и планира да започне серийно производство на новата памет, но срокът за това все още не е обявен. Същевременно, Samsung Electronics вече стартира масово производство на чипове памет с 3D структура на клетките.